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NDF03N60Z, NDD03N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
700
650
600
550
500
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 150 ° C
450
400
1.0
350
300
250
200
C iss
0.10
0
T J = 125 ° C
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
150
100
50
0
0
C rss
5
10
15
C oss
20
25
30
35
40
45
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
Q GS
V DS
Q T
Q GD
V GS
350
300
250
200
150
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
V DS = 300 V
I D = 3 A
T J = 25 ° C
100
50
0.0
0
1
2
3 4 5 6 7 8 9 10
11
0
12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DD = 300 V
I D = 3 A
V GS = 10 V
10.0
100
10.0
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1.0
0.1
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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